Name: BSZ050N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ050N03MSGATMA1TR-ND
Price: 0.88642 CHF
Availability: InStock

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BSZ050N03MSGATMA1
Codice DigiKey	BSZ050N03MSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ050N03MSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ050N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ050N03MSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ050N03MSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3600 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 48W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ050
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 20A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17577Q3A	Texas Instruments	1’407	296-39995-1-ND	Fr. 0.80000	Simile
CSD17577Q3AT	Texas Instruments	1’202	296-38336-1-ND	Fr. 1.65000	Simile
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	2’630	31-DMN3008SFG-13CT-ND	Fr. 0.90000	Simile
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	4’322	DMN3008SFG-7DICT-ND	Fr. 0.90000	Simile
FDMS0312AS	onsemi	468	FDMS0312ASCT-ND	Fr. 0.86000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)