Name: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.13505 CHF
Availability: OutOfStock

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BSZ086P03NS3EGATMA1
Codice DigiKey	BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ086P03NS3EGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ086P03NS3EGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,1V a 105µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57.5 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4785 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base BSZ086
RDSon (max) a Id, Vgs 8,6mohm a 20A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDMC6679AZ	onsemi	5’013	FDMC6679AZFSCT-ND	Fr. 1.64000	Simile

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