
BSZ086P03NS3EGATMA1 | |
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Codice DigiKey | BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSZ086P03NS3EGATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,6mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,1V a 105µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 57.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4785 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,1W (Ta), 69W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TSDSON-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.01000 | Fr. 1.01 |
| 10 | Fr. 0.63400 | Fr. 6.34 |
| 100 | Fr. 0.41850 | Fr. 41.85 |
| 500 | Fr. 0.32572 | Fr. 162.86 |
| 1’000 | Fr. 0.29583 | Fr. 295.83 |
| 2’000 | Fr. 0.27173 | Fr. 543.46 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.24348 | Fr. 1’217.40 |
| 10’000 | Fr. 0.22667 | Fr. 2’266.70 |
| 15’000 | Fr. 0.22200 | Fr. 3’330.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.09181 |








