Name: BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0904NSIATMA1TR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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BSZ0904NSIATMA1
Codice DigiKey	BSZ0904NSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ0904NSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ0904NSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 18 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ0904NSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1463 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (body)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 37W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-FL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 30A, 10V	Codice componente base BSZ0904

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In magazzino: 32’900

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)