Name: BSZ0909NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0909NSATMA1TR-ND
Price: 0.77832 CHF
Availability: InStock

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BSZ0909NSATMA1
Codice DigiKey	BSZ0909NSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ0909NSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ0909NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ0909NSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 34 V 9 A (Ta), 36 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ0909NSATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1310 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 34 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta), 36 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ0909
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 20A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDMC8882	onsemi	9’000	FDMC8882FSCT-ND	Fr. 0.29358	Simile
RJK03M5DNS-00#J5	Renesas Electronics Corporation	7’826	RJK03M5DNS-00#J5CT-ND	Fr. 1.47000	Simile

In magazzino: 419

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)