Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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BSZ100N03MSGATMA1
Codice DigiKey	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ100N03MSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ100N03MSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 30W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ100
RDSon (max) a Id, Vgs 9,1mohm a 20A, 10V

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Sostituti (10)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD16411Q3	Texas Instruments	5’041	296-24255-1-ND	Fr. 1.19000	Simile
CSD17308Q3	Texas Instruments	6’754	296-27210-1-ND	Fr. 1.12000	Simile
CSD17579Q3AT	Texas Instruments	152	296-38463-1-ND	Fr. 1.55000	Simile
CSD17579Q5AT	Texas Instruments	1’865	296-41100-1-ND	Fr. 1.61000	Simile
FDMC7692S	onsemi	155	FDMC7692SCT-ND	Fr. 0.69000	Simile

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