BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSZ130N03MSGATMA1
Codice DigiKey	BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ130N03MSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 9 A (Ta), 35 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ130N03MSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta), 35 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ130
RDSon (max) a Id, Vgs 11,5mohm a 20A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD17579Q3A	Texas Instruments	0	296-39998-1-ND	Fr. 0.72000	Simile
CSD17579Q3AT	Texas Instruments	152	296-38463-1-ND	Fr. 1.55000	Simile
RQ3E100BNTB	Rohm Semiconductor	4’256	RQ3E100BNTBCT-ND	Fr. 0.56000	Simile
RQ3E120BNTB	Rohm Semiconductor	2’572	RQ3E120BNTBCT-ND	Fr. 0.75000	Simile
STL11N3LLH6	STMicroelectronics	3’836	497-11099-1-ND	Fr. 1.18000	Simile