Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
Codice DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ180P03NS3EGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9 A (Ta), 39,5 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,1V a 48µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2220 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 40W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta), 39,5 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base BSZ180
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 20A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)