BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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BTS282ZE3230AKSA2
Codice DigiKey	BTS282ZE3230AKSA2-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BTS282ZE3230AKSA2
Descrizione	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 49 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Foro passante PG-TO220-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BTS282ZE3230AKSA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TEMPFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	49 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,5mohm a 36A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 240µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	232 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4800 pF @ 25 V
Funzione FET	Diodo di rilevamento temperatura
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-7-12
Contenitore/involucro	TO-220-7
Codice componente base	BTS282