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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 |
Descrizione | LOW POWER EASY |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 65A Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 75A, 18V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 5,15V a 30mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 223nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600pF a 800V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Configurazione 4 Canale N | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65A |
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Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 108.28000 | Fr. 108.28 |
| 18 | Fr. 89.89944 | Fr. 1’618.19 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 108.28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 117.05068 |
