
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
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Codice DigiKey | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montaggio su telaio AG-EASY2B |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 85A (Tj) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12mohm a 100A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,15V a 40mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 297nC a 18V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 8800pF a 800V | |
Potenza - Max | - | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | AG-EASY2B | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 93.04000 | Fr. 93.04 |
| 18 | Fr. 79.17889 | Fr. 1’425.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 93.04000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 100.57624 |


