
F411MR12W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-F411MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
Descrizione | LOW POWER EASY |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 75A Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | F411MR12W2M1HB70BPSA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 4 Canale N | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 75A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14mohm a 75A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,15V a 30mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 223nC a 18V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6600pF a 800V | |
Potenza - Max | - | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | - |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 119.18000 | Fr. 119.18 |
| 15 | Fr. 106.12000 | Fr. 1’591.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 119.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 128.83358 |

