FFxMR12W2M1
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

F411MR12W2M1HPB76BPSA1

Codice DigiKey
448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND
Produttore
Codice produttore
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Descrizione
MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 60A Montaggio su telaio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Vassoio
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
4 Canale N
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60A
RDSon (max) a Id, Vgs
10,8mohm a 75A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,15V a 30mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
223nC a 18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6600pF a 800V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
-
Codice componente base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 in magazzino
Verifica i tempi di consegna
Richiedi notifica di giacenza
Tutti i prezzi sono in CHF
Vassoio
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 134.71000Fr. 134.71
18Fr. 110.99556Fr. 1’997.92
36Fr. 107.64417Fr. 3’875.19
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 134.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 145.62151