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F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 |
Descrizione | MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 60A Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 10,8mohm a 75A, 18V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 5,15V a 30mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 223nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600pF a 800V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Configurazione 4 Canale N | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A |
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In magazzino: 18
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Tutti i prezzi sono in CHF
Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 132.37000 | Fr. 132.37 |
| 18 | Fr. 108.99611 | Fr. 1’961.93 |
| 36 | Fr. 105.69306 | Fr. 3’804.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 132.37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 143.09197 |
