FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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FF11MR12W1M1B11BOMA1
Codice DigiKey	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 100A Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	Carburo di silicio (SiC)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100A
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 100A, 15V
Vgs(th) max a Id	5,55V a 40mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	250nC a 15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7950pF a 800V
Potenza - Max	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	Modulo
Codice componente base	FF11MR12