Name: FF3MR12KM1HHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Price: 263.62347 CHF
Availability: InStock

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FF3MR12KM1HHPSA1
Codice DigiKey	448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	FF3MR12KM1HHPSA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Montaggio su telaio AG-62MMHB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FF3MR12KM1HHPSA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 4,44mohm a 280A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,1V a 112mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 800nC a 18V
Confezionamento Scatola	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 24200pF a 800V
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia Carburo di silicio (SiC)	Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Contenitore/involucro Modulo
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Contenitore del fornitore AG-62MMHB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190 A (Tc)