FF3MR12KM1HPHPSA1
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FF3MR12KM1HHPSA1

Codice DigiKey
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
FF3MR12KM1HHPSA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Tempi di consegna standard del produttore
14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Montaggio su telaio AG-62MMHB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FF3MR12KM1HHPSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
190 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
4,44mohm a 280A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,1V a 112mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
800nC a 18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
24200pF a 800V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
AG-62MMHB
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30Fr. 202.30000Fr. 6’069.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 234.48000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 253.47288