
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 | |
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Codice DigiKey | 448-FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1-ND |
Produttore | Infineon Technologies Americas Corp. |
Codice produttore | FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 |
Descrizione | FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 190A 20mW Montaggio su telaio AG-EASY2B |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies Americas Corp. | |
Serie | ||
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 190A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6mohm a 200A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,15V a 80mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 594nC a 18V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 17600pF a 800V | |
Potenza - Max | 20mW | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | AG-EASY2B |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 204.37000 | Fr. 204.37 |
| 18 | Fr. 170.64333 | Fr. 3’071.58 |
| 36 | Fr. 165.87667 | Fr. 5’971.56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 204.37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 220.92397 |



