
FF8MR12W2M1B11BOMA1 | |
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Codice DigiKey | FF8MR12W2M1B11BOMA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 150A (Tj) Montaggio su telaio AG-EASY2BM-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 150A, 15V (tip.) |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 5,55V a 60mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 372nC a 15V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000pF a 800V |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore del fornitore AG-EASY2BM-2 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150A (Tj) | Codice componente base |




