GS-065-060-5-T-A-MR
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GS-065-060-5-T-A-TR

Codice DigiKey
448-GS-065-060-5-T-A-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
GS-065-060-5-T-A-TR
Descrizione
GS-065-060-5-T-A-TR
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 60 A (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V
RDSon (max) a Id, Vgs
32mohm a 18A, 6V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 16,4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
516 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
-
Contenitore/involucro
4-SMD, senza piombo
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Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 23.00000Fr. 46’000.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 23.00000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 24.86300