Name: GS0650306LLTRXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650306LLTRXUMA1TR-ND
Price: 4.54216 CHF
Availability: OutOfStock

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IGT65R045D2ATMA1

Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 7.28000

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Canale N 700 V 40 A (Tc) A montaggio superficiale TOLL

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GS0650306LLTRXUMA1
Codice DigiKey	448-GS0650306LLTRXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS0650306LLTRXUMA1
Descrizione	GAN POWER TRANSISTOR
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 40 A (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 5,5A, 6V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,6V a 7,5mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.7 nC @ 6 V
Stato componente Data di acquisto finale	Vgs (max) +7V, -10V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235 pF @ 400 V
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN