Name: GS66502BTRXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BTRXUMA1TR-ND
Price: 5.84197 CHF
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 1.97000

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GS66502BTRXUMA1
Codice DigiKey	448-GS66502BTRXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS66502BTRXUMA1
Descrizione	GS66502B-TR
Tempi di consegna standard del produttore	99 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7,5 A (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 2,25A, 6V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,6V a 1,75mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.6 nC @ 6 V
Stato componente Attivo	Vgs (max) +7V, -10V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60 pF @ 400 V
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,5 A (Tc)	Contenitore/involucro 3-SMD, senza piombo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IGLR70R200D2SXUMA1	Infineon Technologies	4’898	448-IGLR70R200D2SXUMA1CT-ND	Fr. 1.97000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 5.40423	Fr. 16’212.69

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.40423
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.84197

GS66502BTRXUMA1