Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 2.06471 CHF
Availability: InStock

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IAUCN04S6N017TATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S6N017TATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN04S6N017TATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 40µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3250 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 103W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 58A (Ta), 120A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore del fornitore PG-LHDSO-10-1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,73mohm a 60A, 10V	Contenitore/involucro 10-LSOP (larghezza 0,216", 5,48mm) piazzola esposta

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.91000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.06471

IAUCN04S6N017TATMA1