Name: IAUMN08S5N012GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND
Price: 5.02665 CHF
Availability: InStock

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IAUMN08S5N012GAUMA1
Codice DigiKey	448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUMN08S5N012GAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUMN08S5N012GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUMN08S5N012GAUMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 300A (Tj) 325W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUMN08S5N012GAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 232µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 194 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13550 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 325W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-4-1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 4-PowerSFN