Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 4.01051 CHF
Availability: InStock

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IAUMN10S5N017GAUMA1
Codice DigiKey	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUMN10S5N017GAUMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 215µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12514 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 307W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-4-1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 4-PowerSFN

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In magazzino: 1’790

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.82257	Fr. 3’645.14
4’000	Fr. 1.72680	Fr. 6’907.20

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.01051

IAUMN10S5N017GAUMA1