Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 1.81165 CHF
Availability: OutOfStock

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IAUMN10S5N017GAUMA1
Codice DigiKey	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUMN10S5N017GAUMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,7mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 215µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12514 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	307W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOG-4-1
Contenitore/involucro	4-PowerSFN

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Nastrato in bobina (TR)