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IAUT200N08S5N023ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IAUT200N08S5N023ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IAUT200N08S5N023ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7670 pF @ 40 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 100A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,8V a 130µA |
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In magazzino: 6’399
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.92000 | Fr. 3.92 |
| 10 | Fr. 2.57100 | Fr. 25.71 |
| 100 | Fr. 1.80810 | Fr. 180.81 |
| 500 | Fr. 1.48226 | Fr. 741.13 |
| 1’000 | Fr. 1.37758 | Fr. 1’377.58 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 1.28961 | Fr. 2’579.22 |
| 4’000 | Fr. 1.21569 | Fr. 4’862.76 |
| 6’000 | Fr. 1.17806 | Fr. 7’068.36 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.92000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.23752 |
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