Nuovo prodotto
PG-HSOF-8-1
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IAUTN15S6N038ATMA1

Codice DigiKey
448-IAUTN15S6N038ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IAUTN15S6N038ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IAUTN15S6N038ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IAUTN15S6N038ATMA1
Descrizione
MOSFET_(120V 300V)
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 170A (Tj) 263W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
170A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,8mohm a 85A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 166µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6200 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8-1
Contenitore/involucro
8-PowerSFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.90000Fr. 4.90
10Fr. 3.75400Fr. 37.54
25Fr. 3.46960Fr. 86.74
100Fr. 3.15650Fr. 315.65
250Fr. 3.00728Fr. 751.82
500Fr. 2.91732Fr. 1’458.66
1’000Fr. 2.84330Fr. 2’843.30
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 2.56080Fr. 5’121.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.90000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.29690