Name: IAUZN04S7N049ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7N049ATMA1TR-ND
Price: 1.05938 CHF
Availability: InStock

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IAUZN04S7N049ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZN04S7N049ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZN04S7N049ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUZN04S7N049ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZN04S7N049ATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 14A (Ta), 70A (Tj) 45W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-44
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZN04S7N049ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14A (Ta), 70A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,93mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 10µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	922 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8-44
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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Nastrato in bobina (TR)