IDH02G65C5XKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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STPSC6H065D

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IDH02G65C5XKSA1
Codice DigiKey	IDH02G65C5XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDH02G65C5XKSA1
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2201
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 2A Foro passante PG-TO220-2-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	2A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.7 V @ 2 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	35 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	70pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	PG-TO220-2-1
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	IDH02G65

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