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Equivalente parametrico

IDK06G65C5XTMA2
Infineon Technologies
In magazzino: 3’127
Prezzo unitario : Fr. 2.45000
Scheda tecnica

Simile

SICRB6650
SMC Diode Solutions
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.54328
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IDK08G65C5XTMA2
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IDK06G65C5XTMA1

Codice DigiKey
IDK06G65C5XTMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IDK06G65C5XTMA1
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 6A A montaggio superficiale PG-TO263-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
6A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.8 V @ 6 A
Velocità
Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
1.1 mA @ 650 V
Capacità a Vr, F
190pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
PG-TO263-2
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
IDK06G65
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