Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 5.12394 CHF
Availability: InStock

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IGLD65R080D2AUMA1
Codice DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGLD65R080D2AUMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-LSON-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGLD65R080D2AUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 1,8mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 240 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-LSON-8-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-LDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 100mOhm a 5,5A