IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IGO60R070D1AUMA2
Codice DigiKey	448-IGO60R070D1AUMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGO60R070D1AUMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGO60R070D1AUMA2
Descrizione	GAN HV
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-20-85
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGO60R070D1AUMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	1,6V a 2,6mA
Vgs (max)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	380 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-DSO-20-85
Contenitore/involucro	20-PowerSOIC (larghezza 0,433", 11,00mm)
Codice componente base	IGO60