IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IGT60R070D1ATMA4 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 1’991

Prezzo unitario : Fr. 6.51000

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IGT60R070D1ATMA4
Codice DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGT60R070D1ATMA4
Descrizione	GANFET N-CH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 2,6mA
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) -10V
Serie CoolGaN™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 380 pF @ 400 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-3
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31 A (Tc)