IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IGT60R070D1ATMA4 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 605

Prezzo unitario : Fr. 24.01000

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IGT60R070D1ATMA4
Codice DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGT60R070D1ATMA4
Descrizione	GANFET N-CH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	1,6V a 2,6mA
Vgs (max)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	380 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-3
Contenitore/involucro	8-PowerSFN