
IMBF170R650M1XTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBF170R650M1XTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1700 V 7,4 A (Tc) 88W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-13 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMBF170R650M1XTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1700 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 12V, 15V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 650mohm a 1,5A, 15V | |
Vgs(th) max a Id | 5,7V a 1,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8 nC @ 12 V | |
Vgs (max) | +20V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 422 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-13 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 4.53000 | Fr. 4.53 |
10 | Fr. 3.02500 | Fr. 30.25 |
100 | Fr. 2.17210 | Fr. 217.21 |
500 | Fr. 2.13566 | Fr. 1’067.83 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 1.74489 | Fr. 1’744.89 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.53000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.89693 |