

IMBG120R026M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG120R026M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 75A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 25,4mohm a 27,3A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5.1V @ 8.6mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 60 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1990 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 335W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 10.29000 | Fr. 10.29 |
10 | Fr. 7.17900 | Fr. 71.79 |
100 | Fr. 6.25710 | Fr. 625.71 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 5.11200 | Fr. 5’112.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 10.29000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 11.12349 |