Name: IMBG120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 11.6748 CHF
Availability: InStock

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IMBG120R026M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG120R026M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	69 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5.1V @ 8.6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ G2	Vgs (max) +23V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 335W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Codice componente base IMBG120R026
RDSon (max) a Id, Vgs 25,4mohm a 27,3A, 18V

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In magazzino: 476

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 5.09427	Fr. 5’094.27

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 10.80000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 11.67480

IMBG120R026M2HXTMA1