PG-TO263-7-12
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PG-TO263-7-12

IMBG120R026M2HXTMA1

Codice DigiKey
448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMBG120R026M2HXTMA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
25,4mohm a 27,3A, 18V
Vgs(th) max a Id
5.1V @ 8.6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1990 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
335W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-12
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 970
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 10.29000Fr. 10.29
10Fr. 7.17900Fr. 71.79
100Fr. 6.25710Fr. 625.71
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 5.11200Fr. 5’112.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 10.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 11.12349