Name: IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R045M1HXTMA1TR-ND
Price: 11.94505 CHF
Availability: InStock

Canale N 1200 V 47 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12

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IMBG120R045M1HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG120R045M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R045M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R045M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG120R045M1HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 47 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMBG120R045M1HXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 7,5mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +18V, -15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1527 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 47 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 16A, 18V	Codice componente base IMBG120