PG-TO263-7-12
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IMBG120R350M1HXTMA1

Codice DigiKey
448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMBG120R350M1HXTMA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMBG120R350M1HXTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
468mohm a 2A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,7V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.9 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
196 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
65W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-12
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 859
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.21000Fr. 4.21
10Fr. 2.79800Fr. 27.98
100Fr. 1.99950Fr. 199.95
500Fr. 1.91684Fr. 958.42
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.56390Fr. 1’563.90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.55101