
IMBG65R010M2H | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG65R010M2HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R010M2HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R010M2H |
Descrizione | IMBG65R010M2H |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9,1mohm a 92,1A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 18,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 112 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4001 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 535W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 17.71000 | Fr. 17.71 |
| 10 | Fr. 14.18400 | Fr. 141.84 |
| 25 | Fr. 13.30200 | Fr. 332.55 |
| 100 | Fr. 12.33280 | Fr. 1’233.28 |
| 250 | Fr. 11.87064 | Fr. 2’967.66 |
| 500 | Fr. 11.59220 | Fr. 5’796.10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 11.36302 | Fr. 11’363.02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 17.71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 19.14451 |




