Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HDKR-ND
Price: 19.20937 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12

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IMBG65R010M2H
Codice DigiKey	448-IMBG65R010M2HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG65R010M2H
Descrizione	IMBG65R010M2H
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9,1mohm a 92,1A, 20V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 18,7mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 112 nC @ 18 V
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4001 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 535W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 158 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IMBG65R010M2HXTMA1	Infineon Technologies	866	448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND	Fr. 17.23000	Equivalente parametrico

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 17.77000	Fr. 17.77
10	Fr. 14.22600	Fr. 142.26
25	Fr. 13.34160	Fr. 333.54
100	Fr. 12.57590	Fr. 1’257.59

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 17.77000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 19.20937

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