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IMBG65R020M2HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R020M2HXTMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 91 A (Tc) 326W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 9,5mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2038 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 326W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 46,9A, 18V |
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In magazzino: 514
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 10.98000 | Fr. 10.98 |
| 10 | Fr. 7.67700 | Fr. 76.77 |
| 100 | Fr. 6.29120 | Fr. 629.12 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 5.13984 | Fr. 5’139.84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 10.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 11.86938 |
