Name: IMBG65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R040M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.44809 CHF
Availability: InStock

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IMBG65R040M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG65R040M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R040M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG65R040M2HXTMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 49 A (Tc) 197W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,6V a 4,6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 997 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 197W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 49 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Codice componente base IMBG65R040
RDSon (max) a Id, Vgs 49mohm a 22,9A, 18V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 2.78502	Fr. 2’785.02

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.44809

IMBG65R040M2HXTMA1