
IMBG65R050M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R050M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R050M2HXTMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 41 A (Tc) 172W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 3,7mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 172W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 62mohm a 18,2A, 18V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 6.22000 | Fr. 6.22 |
| 10 | Fr. 4.21600 | Fr. 42.16 |
| 100 | Fr. 3.07950 | Fr. 307.95 |
| 500 | Fr. 2.98266 | Fr. 1’491.33 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.44033 | Fr. 2’440.33 |
| 2’000 | Fr. 2.43681 | Fr. 4’873.62 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.72382 |

