Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 6.76706 CHF
Availability: InStock

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IMBG65R107M1HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG65R107M1HXTMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMBG65R107M1HXTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 2,6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (max) +23V, -5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 496 pF @ 400 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-12
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 24 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Codice componente base IMBG65R
RDSon (max) a Id, Vgs 141mohm a 8,9A, 18V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.76706

IMBG65R107M1HXTMA1