PG-TO263-7-12
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IMBG65R163M1HXTMA1

Codice DigiKey
448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMBG65R163M1HXTMA1
Descrizione
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 17 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMBG65R163M1HXTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
217mohm a 5,7A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,7V a 1,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
320 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-12
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 530
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.98000Fr. 3.98
10Fr. 2.55800Fr. 25.58
100Fr. 1.88180Fr. 188.18
500Fr. 1.78116Fr. 890.58
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.48929Fr. 1’489.29
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.98000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.30238