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IMCQ120R005M2HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMCQ120R005M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IMCQ120R005M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 39 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 138,2A, 18V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 5,1V a 43,4mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 261 nC @ 18 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) +23V, -7V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9760 pF @ 800 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1364W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IMCQ120R005M2HXUMA1 | Infineon Technologies | 370 | 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND | Fr. 41.19000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 750 | Fr. 33.73744 | Fr. 25’303.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 33.73744 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 36.47017 |
