Name: IMCQ120R053M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.96697 CHF
Availability: InStock

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IMCQ120R053M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMCQ120R053M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 43 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMCQ120R053M2HXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 52,6mohm a 13,2A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,1V a 4,1mA
Serie CoolSiC™ G2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32.8 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1270 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 234W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 43 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP

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In magazzino: 1’194

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
750	Fr. 3.04959	Fr. 2’287.19
1’500	Fr. 3.04871	Fr. 4’573.06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 7.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.96697

IMCQ120R053M2HXTMA1