Name: IMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.71301 CHF
Availability: InStock

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IMDQ75R060M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMDQ75R060M2HXTMA1
Descrizione	IMDQ75R060M2HXTMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 840 V 30 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMDQ75R060M2HXTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 13,8A, 20V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 3mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 716 pF @ 500 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 840 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP

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In magazzino: 750

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
750	Fr. 2.49501	Fr. 1’871.26
1’500	Fr. 2.42960	Fr. 3’644.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.71301

IMDQ75R060M2HXTMA1