
IMLT65R015M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMLT65R015M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMLT65R015M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMLT65R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMLT65R015M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 142 A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMLT65R015M2HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 64,2A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 13mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 79 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2792 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 600W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HDSOP-16-6 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 12.14000 | Fr. 12.14 |
| 10 | Fr. 8.55100 | Fr. 85.51 |
| 100 | Fr. 7.75480 | Fr. 775.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’800 | Fr. 6.33560 | Fr. 11’404.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 12.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 13.12334 |







