Name: IMLT65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMLT65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.14008 CHF
Availability: InStock

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IMLT65R050M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMLT65R050M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMLT65R050M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMLT65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMLT65R050M2HXTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 650V 47A HDSOP-16
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 47 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMLT65R050M2HXTMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 62mohm a 18,2A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 3,7mA
Serie CoolSiC™ Gen 2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 47 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’800	Fr. 2.15744	Fr. 3’883.39

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.14008

IMLT65R050M2HXTMA1