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IMSQ120R026M2HHXUMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMSQ120R026M2HHXUMA1 |
Descrizione | SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | SiCFET (carburo di silicio) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 83 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 26mohm a 27A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5.1V @ 8.6mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 54nC a 0V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1990pF a 800V | |
Potenza - Max | 410W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 24-BSOP (larghezza 0,606", 15,40mm), 16 conduttori, piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | PG-HDSOP-16-221 |
In magazzino: 720
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 17.54000 | Fr. 17.54 |
| 10 | Fr. 12.63300 | Fr. 126.33 |
| 100 | Fr. 12.44480 | Fr. 1’244.48 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 750 | Fr. 10.16729 | Fr. 7’625.47 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 17.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 18.96074 |
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