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IMSQ120R026M2HHXUMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMSQ120R026M2HHXUMA1 |
Descrizione | SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16 |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-221 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 27A, 18V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 5.1V @ 8.6mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 54nC a 0V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 410W (Tc) |
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro 24-BSOP (larghezza 0,606", 15,40mm), 16 conduttori, piazzola esposta |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 83 A (Tc) | Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-221 |
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In magazzino: 653
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 18.60000 | Fr. 18.60 |
| 10 | Fr. 13.40700 | Fr. 134.07 |
| 100 | Fr. 12.38960 | Fr. 1’238.96 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 750 | Fr. 10.12223 | Fr. 7’591.67 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 18.60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 20.10660 |
