
IMT40R015M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMT40R015M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT40R015M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMT40R015M2HXTMA1 |
Descrizione | SIC-MOS |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 400 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMT40R015M2HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 400 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19,1mohm a 27,1A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 9,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 62 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2730 pF @ 200 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,8W (Ta), 341W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.39000 | Fr. 9.39 |
| 10 | Fr. 7.30200 | Fr. 73.02 |
| 100 | Fr. 6.49140 | Fr. 649.14 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 5.33023 | Fr. 10’660.46 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 10.15059 |


