
IMT65R015M2HXUMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R015M2HXUMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 131 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 13,2mohm a 64,2A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 13mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 79 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2792 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 535W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 12.19000 | Fr. 12.19 |
10 | Fr. 8.59400 | Fr. 85.94 |
100 | Fr. 7.80220 | Fr. 780.22 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 6.37440 | Fr. 12’748.80 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 12.19000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 13.17739 |