Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 14.11786 CHF
Availability: OutOfStock

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IMT65R015M2HXUMA1
Codice DigiKey	448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMT65R015M2HXUMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 131 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 13,2mohm a 64,2A, 20V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 13mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 79 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2792 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 535W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 131 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 6.43435	Fr. 12’868.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 13.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 14.11786

IMT65R015M2HXUMA1