
IMT65R026M2HXUMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R026M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R026M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R026M2HXUMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 81 A (Tc) 365W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 34,5A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1499 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 365W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.96000 | Fr. 8.96 |
| 10 | Fr. 6.20300 | Fr. 62.03 |
| 100 | Fr. 5.22480 | Fr. 522.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 4.26860 | Fr. 8’537.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.96000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.68576 |






